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被低估的 AI 算力配套:90A DrMOS,一芯难求
日期:2026-10-24 来源: 启珑微电子
当所有人目光聚焦 GPU、HBM 时,AI 算力机房里,一类不起眼的功率器件正在上演 “一芯难求”:90A 大电流规格成为新标杆,单卡用量直奔上百颗,供需失衡之下,DrMOS 迎来明确的量价齐升周期。

算力的竞争,本质上不只是计算芯片的比拼,更是供电能力的极限较量。

一颗千瓦级 AI GPU,核心电压只有 0.8~1.2V,却需要瞬间拉出几百安培的超大电流。电压稍有跌落、响应慢半拍,就会直接触发降频、报错,昂贵的算力卡直接跑不满性能。

扛起这份 “极限供电” 任务的,正是 DrMOS。

很多人把它简单理解成一颗 MOS 管,其实它是驱动 + 高侧 MOS + 低侧 MOS 三合一集成的智能功率级,配合多相控制器组成 VRM 多相供电,把 12V 电压精准降压到 GPU 核心所需低压,是 AI 芯片旁边的 “高速供电阀门”。 高端型号还内置电流采样、温度监测、过流 / 过温保护,每秒数百万次高速开关,兼顾高效率、低寄生电感、超快瞬态响应,是分立 MOS 方案很难替代的选择。

从 50A 到 90A:规格升级,单机用量成倍跳涨

传统服务器、PC 时代,DrMOS 主流是 30A、50A,单台服务器只需要十几颗,属于配套小器件,很少被关注。

AI 时代,逻辑彻底变了: GPU 功耗持续冲高,从几百瓦迈向 1000W、2000W+,单颗芯片的供电相数大幅增加,单相电流规格同步抬升,90A 已经成为高端 AI 卡的主流标配,下一代方案甚至向 100A + 迭代。

用量的变化更直观: 普通服务器单台 DrMOS 仅十几颗; 主流 8 卡 AI 训练服务器,整机 DrMOS 轻松达到数百颗;高端架构下,单 GPU 配套 DrMOS 可达 70~100 颗,整机用量突破 600 颗已经不是个例。

一句话总结增量:不是简单多卖几台服务器,而是每一台里面,每一颗 GPU,都要配更多、规格更高的 DrMOS。 数量涨、单价涨、规格溢价更高,三重共振,直接推高单机电源 BOM 价值,这也是本轮 “量价齐升” 最核心的底层逻辑。

为什么缺货、涨价?供需两端的结构性矛盾

需求端:全球算力集群持续上马,训练服务器、推理服务器同步放量,高功率卡的渗透率快速提升。AI 算力的建设节奏集中释放,上游电源器件的需求是爆发式、前置性的,远早于终端大模型落地。

供给端才是卡点: DrMOS 大多依托8 英寸 BCD 成熟工艺制造,而全球 8 寸晶圆本就长期紧张,扩产周期长达 18~24 个月,短期很难快速新增产能;同时高端服务器 DrMOS 认证门槛极高,从送样、可靠性测试到批量导入,周期普遍 12~24 个月,不是有钱就能快速扩产、换供应商。

产业反馈显示:海外原厂已经多轮调价,高端 90A 等紧缺型号交期持续拉长,渠道现货溢价明显,大厂客户优先保配额,中小客户拿料压力显著增加。行业共识是,DrMOS 的紧缺周期大概率延续,不会短期缓解。

值得区分一个关键点:涨价是结构性行情,不是全品类普涨。 30A、50A 消费级、传统服务器型号供需平稳;真正紧缺、溢价明显的,是 70A、90A 及以上、面向 AI GPU 供电的大电流高频 DrMOS。

格局重构:海外龙头主导,国产替代窗口打开

当前全球 DrMOS 市场,海外几家头部厂商占据绝大多数份额,长期绑定海外算力平台,供应链壁垒深厚。

但缺货周期,恰恰给国产厂商创造了难得的切入窗口。 国内厂商陆续推出 90A 级别智能功率级产品,支持 3MHz 高频、TLGA 小封装,集成电流、温度监测,已经进入国内 AI 芯片、服务器厂商的验证与量产爬坡阶段,逐步进入头部算力供应链,从次要配套,升级为核心供电方案供应商36氪。

算力客户的诉求也很清晰:供应链多元化,降低单一原厂依赖。未来 2~3 年,国产 DrMOS 的份额提升,会是 AI 电源赛道最确定的主线之一。

当然挑战同样客观:AI 服务器供电对可靠性、瞬态响应、散热一致性要求苛刻,不是做出 90A 规格就能批量上车,长时间高温负载、系统级联调、多相环路匹配,都是需要持续打磨的硬门槛。

后续趋势:供电方案迭代,DrMOS 价值还会往上走

短期看,多相 Buck+DrMOS 依然是 AI GPU 供电的主流底座,90A、高频、高集成 SPS(智能功率级)是标配; 中长期,TLVR、封装级供电、IVR 等新架构会逐步导入,但不会立刻替代 DrMOS,而是在更高功率平台上形成分层方案,大电流功率器件的需求长期向上。

放在整条 AI 产业链里看:GPU、HBM 是台前明星,而 DrMOS 这类电源器件,是藏在背板上的 “隐形刚需”。 算力越堆越高,供电的压力就越大;芯片越贵,客户越不敢在电源环节降配。